类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：Polar?
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：10.5毫欧 500mA,10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id) 25°C：210A
Id时的Vgs(th)（最大）：4.5V 8mA
闸电荷(Qg) Vgs：255nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：18600pF 25V
功率-最大：1500W
安装类型：通孔
封装/外壳：3-PLUS264?
包装：管件
