IXFC12N80P

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:PolarHV?
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:930毫欧 6A,10V
  漏极至源极电压(Vdss):800V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:7A
  Id时的Vgs(th)(最大):5.5V 2.5mA
  闸电荷(Qg) Vgs:51nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):2800pF 25V
  功率-最大:120W

封装参数

安装类型:通孔
  封装/外壳:ISOPLUS220?
  包装:管件

相关百科