类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：HiPerFET
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：750毫欧 500mA,10V
漏极至源极电压(Vdss)：1000V(1kV)
电流-连续漏极(Id) 25°C：14A
Id时的Vgs(th)（最大）：4.5V 4mA
闸电荷(Qg) Vgs：220nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：4500pF 25V
功率-最大：360W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-268
包装：管件
