类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：TrenchMV
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：4毫欧 25A,10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id) 25°C：220A
Id时的Vgs(th)（最大）：4V 250μA
闸电荷(Qg) Vgs：158nc 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：7200pF 25V
功率-最大：430W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P
包装：管件
工作温度：-55℃~175℃(TJ)
