-20V，-9.5A，uCOOLP沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管
P信道20V 3.5A（Ta）700mW（Ta）表面安装6-WDFN（2x2）
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
FET型：MOSFET P通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
开态Rds（最大） Id,Vgs 25nC：40毫欧 3A,4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id) 25nC：3.5A
Id时的Vgs(th)（最大）：1V 250µA
闸电荷(Qg) Vgs：15.7nC 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：1329pF 16V
功率-最大：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VDFN
包装：带卷(TR)
供应商设备封装：6-TDFN
其它名称：NTLJS3113PT1G-NDNTLJS3113PT1GOSTR
WDFN封装提供外露排水垫，实现卓越的热传导
2x2 mm的占地面积与SC相同?88封装
2x2 mm封装中的最低RDS（开启）解决方案
1.5 V RDS（打开）额定值，可在低压逻辑电平GateDrive下运行
薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装
这些设备为铅?无卤素/无BFR，符合RoHS
