类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：PolarP?
FET型：MOSFET P通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：490毫欧 10A,10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id) 25°C：13A
Id时的Vgs(th)（最大）：4.5V 250μA
闸电荷(Qg) Vgs：103nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：5120pF 25V
功率-最大：190W
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS247?
包装：管件
