类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大）Id,Vgs 25°C：20毫欧500mA,10V
漏极至源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)25°C：90A
Id时的Vgs(th)（最大）：4.5V 1mA
闸电荷(Qg)Vgs：80nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：4100pF 25V
功率-最大：455W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P
包装：管件
