STV160NF03LAT4代表第二代专用STMicroelectronics成熟的STripFET?该工艺基于非常独特的带材布局设计。结果MOSFET显示出无与伦比的高封装密度、超低导通电阻和优异的开关特性。工艺简化也转化为提高制造再现性。该装置特别适用于效率至关重要的高电流、低电压开关应用。
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：STripFET™
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
开态Rds（最大） Id,Vgs 25℃：3毫欧 80A,10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id) 25℃：160A
Id时的Vgs(th)（最大）：1V 250μA
闸电荷(Qg) Vgs：160nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：5350pF 25V
功率-最大：210W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerSO-10
包装：带卷(TR)
典型RDS（开）=0.0021?
低阈值驱动
超低导通电阻
超快开关
100%雪崩测试
极低栅极电荷
低剖面、非常低寄生电感PowerSO-10封装
