FDD5612

FDD5612是一款60V N沟道PowerTrench?MOSFET，经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，并保持低栅极电荷，以获得卓越的开关性能。Fairchild的最新中压功率MOSFET是优化的功率开关，结合了小栅极电荷（QG）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。它采用屏蔽栅极结构，提供电荷平衡。通过利用这项先进技术，这些器件的FOM（品质因数（QGxRDS（ON）））比上一代低66%。新型PowerTrench?MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代更高额定电压的MOSFET所需电路，因为它可以最大限度地减少同步整流中不希望的电压尖峰。该产品具有通用性，适用于许多不同的应用。