STM32H750ZBT6基于高性能Arm?Cortex?-M7和Cortex?-M4 32位RISC核心。Cortex?-M7核心的工作频率可达480 MHz, Cortex?-M4核心的工作频率可达240 MHz。两个核心都具有浮点单元(FPU)，支持Arm?单精度和双精度(Cortex?- m7核心)操作和转换(IEEE 754兼容)，包括一整套DSP指令和内存保护单元(MPU)，以增强应用程序的安全性。STM32H750ZBT6设备结合了高速嵌入式存储器，具有高达2兆字节的双银行闪存，高达1兆字节的RAM(包括192千字节的TCM RAM，高达864千字节的用户SRAM和4千字节的备份SRAM)，以及广泛的增强I/ o和外设连接到APB总线，AHB总线，2x32位的多AHB总线矩阵和支持内部和外部内存访问的多层AXI互连。所有设备都提供三个adc，两个dac，两个超低功率比较器，一个低功率RTC，一个高分辨率定时器，12个通用16位定时器，两个用于电机控制的PWM定时器，五个低功率定时器，一个真随机数发生器(RNG)。该设备支持4个用于外部sigma-delta调制器(DFSDM)的数字滤波器。它们还具有标准和先进的通信接口。
32位ArmCortex-M7核，双精度处理器和L1缓存:16kbytes数据16 Kbytes指令缓存;频率高达480 MHz, MPU, 1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)和DSP指令
记忆
128kbytes闪存
1 Mbyte的RAM: 192 kbyte的TCM RAM (inc.)
64 Kbytes的ITCM RAM + 128 Kbytes的DTCM RAM用于时间关键例程)，864kbytes的用户SRAM，和4kbytes的备份域中的SRAM
双模式quadl - spi内存接口运行频率高达133 MHz
灵活的外部存储控制器，最多可达32位数据总线:
- SRAM, PSRAM, NOR闪存同步频率高达133 MHz
模式
-内部/ LPSDR更快
- 8/16位NAND闪存
CRC计算单元
安全
ROP, PC-ROP，主动篡改，安全固件安全访问模式通用输入/输出
多达168个I/O端口，具有中断能力
复位和电源管理
3个独立的电源域，可以独立时钟门控或关闭:
—D1:高性能
—D2:通信外设和定时器
—D3:复位/时钟控制/电源管理
1.62 ~ 3.6 V应用电源和I/O
POR, PDR, PVD和BOR
专用USB电源嵌入3.3 V内部调节器，提供内部物理参数嵌入式压器(LDO)，可配置可扩展输出，提供数字电路
运行和停止模式下的电压缩放可配置的范围)备份调节器(~0.9 V)模拟外设参考电压/VREF+
低功耗模式:休眠，停止，待机和VBAT支持电池充电
低功率消耗
带充电的VBAT电池工作模式能力
CPU和域电源状态监控引脚
2.95备用模式(Backup SRAM OFF，RTC /伦敦政治经济学院)
商品分类 | MCU微控制器 | 程序存储容量 | 128KB（128K x 8） |
品牌 | ST(意法半导体) | 程序存储器类型 | 闪存 |
封装 | 144-LQFP（20x20） | EEPROM容量 | - |
商品标签 | 高性能MCU | RAM大小 | 1M x 8 |
核心处理器 | ARM Cortex-M7 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.62V ~ 3.6V |
内核规格 | 32-位 | 数据转换器 | A/D 28x16b; D/A 2x12b |
速度 | 480MHz | 振荡器类型 | 内部 |
连接能力 | CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT | 安装类型 | 表面贴装型 |
I/O数 | 114 | 基本产品编号 | STM32 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | HTSUS | 8542.31.0001 |
ECCN | 5A992C | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32H750ZBT6原理图
STM32H750ZBT6引脚图
STM32H750ZBT6封装
STM32H750ZBT6丝印
STM32H750ZBT6料号解释
