LM293DT

LM293DT由两个独立的低电压比较器组成,专门设计用于在宽电压范围内从单个电源进行操作。也可以通过分开的电源进行操作。这些比较器还具有独特的特性,即即使从单个电源电压操作,输入共模电压范围也包括地。

特点

  宽单电源电压范围或双电源:2 V36 V±1 V±18 V

  极低的电源电流(0.45 mA),与电源电压无关(5 V时为1 mW/比较器)

  低输入偏置电流:典型值为20 nA

  低输入偏移电流:典型值±3 nA

  低输入偏移电压:典型值±1 mV

  输入共模电压范围包括接地

  低输出饱和电压:典型值为80 mV(Isink=4 mA)

  差分输入电压范围等于电源电压

  ●TTLDTLECLMOSCMOS兼容输出

  提供DFN8 2x2MiniSO8TSSOP8SO8封装

  ●LM393W,带内部ESD保护:2 kV HBM

中文参数

商品分类比较器品牌ST(意法半导体)
封装8-SOIC类型通用
元件数2输出类型CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL
电压-供电,单/双(±)2V~36V,±1V~18V电压-输入补偿(最大值)5mV@30V
电流-输入偏置(最大值)0.25μA@5V电流-输出(典型值)18mA@5V
电流-静态(最大值)2.5mACMRR,PSRR(典型值)-
传播延迟(最大值)-滞后-
工作温度-40℃~105℃安装类型表面贴装型
基本产品编号LM293HTSUS8542.39.0001

环境与出口分类

RoHS状态符合ROHS3规范湿气敏感性等级(MSL)1(无限)
REACH状态非REACH产品ECCNEAR99

原理图

LM293DT原理图

LM293DT原理图

引脚

LM293DT原理图

LM293DT引脚图

封装

LM293DT封装图

LM293DT封装

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