VCXO即压控晶体振荡器，是通过施加外部 控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。在典型的VCXO中，通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶体振子频率的。VCXO允许频率控制范围比较宽，实际的牵引度范围约为±200ppm甚至更大。
首先，要弄清楚具体应用场合是需要VCXO，还是一般的振荡器。当设计人员希望通过外加控制电压来对振荡器的频率作小范围的调谐时，就应选用VCXO器件。我们把这种振荡器调谐称为牵引度（pullability）。牵引度用10－6数量级表示。VCXO牵引度的典型值为±50×10－6～±200×10－6，要得到这种范围的牵引度，VCXO产品一般采用标准圆形石英晶体。为了满足牵引度范围大的要求，设计上须用大尺寸晶体（直接0.25英寸～0.35英寸）。此外，如果要得到大范围的牵引度，VCXO产品的晶体应是基模晶体。
VCXO还对对称性、逻辑电平、上升时间、下降时间等波形参数作了规定。现有VCXO产品可满足TTL、ECL、CMOS等集成电路的波形参数要求。对上升时间、下降时间和对称性要求十分严格时，要特别注意负载的大小和基准电平的高低，以免对厂商给出的参数值造成误解
一切振荡器都有一些振幅调制噪声和相位调制噪声。VCXO的相位噪声要受振荡器电路结构和石英晶体的影响。VCXO电源的瞬态过程或波纹产生的调制还会使它的相位噪声性能恶化。相位噪声的均方根值是由相位噪声频谱在给定带宽内求积分而推算出来的。相位噪声是根据频率相对于中心频率的偏移量来界定的，用单位dBc/Hz表示。锁相环电路使用的大多数VCXO器件必须具有良好的相位噪声特性。如果应用上对相应噪声有严格要求，选用VCXO时就一定要规定相位噪声允许的范围。
VCXO采用基模晶体来获得要求的牵引度值。对于30MHz以下频率，VCXO运用标准圆形晶体设计。频率超过30MHz后，标准基模晶体就很难制造。随着频率的增加，晶体变得越来越薄，制造过程中的操作也更加困难。在30MHz以上的频率基模工作就需采用反向台面晶体。反向台面晶体制造技术是一种较新的技术，比传统的标准晶体加工技术复杂。因此，高频率产品的加工往往损耗也较大。一般来说，采用反向台面晶体的高频VCXO产品比使用标准圆形晶体的低频VCXO产品价格贵。30MHz以上的VCXO产品价格较高也就不难理解了。
