磁敏二极管是一种新型的磁电转换器件。这种元件比霍尔元件的探测灵敏度高，且具有体积小、响应快、无触点、输出功率大及线性特性好的优点。该器件在磁力探测、无触点开关、位移测量、转速测量及其他各种自动化设备上得到了广泛的应用。
磁敏二极管内部结构与普通二极管不同，在Ｐ区与Ｎ区之间有一线度远大于载流子扩散长度的高纯空间电荷区——１区，在１区的一个侧面上，嵌有一载流子高复合区——Ｒ区，其基本结构如图１所示。该管采用电子与空穴双注入效应及复合效应来控制流过ＰＮ结的电流。在外界磁场的作用下，两效应作用结果以乘积取值。因此它具有很高的探测灵敏度。当外界无磁场时，加正向电压，Ｎ区电子大部分注入Ｐ区空穴内（图２），只有少数载流子在１区及Ｒ区复合，器件呈稳定状态。若外界加一正向磁场Ｂ＋（图３）时，在正向磁场洛仑兹力的作用下，空穴及电子运动方向均偏向Ｒ区，空穴及电子在Ｒ区的复合率极高，因此大部分载流子在Ｒ区复合，则１区中载流子数目大为减少，Ｒ区电阻随之增大，压降亦增大，从而循环产生正反馈，使该管外部表现为电阻增大，电流减小，压降增大；反之，外界加Ｂ－（图４）时，则外部表现为电阻减小，电流增大，压降减小。
磁敏二极管的电压输出特性如图５所示，由图可看出，在弱磁场作用下，输出电压（Ｕ）与磁感应强度（Ｂ）成正比呈线性关系，磁敏二极管的伏安特性如图６所示。在磁感应强度Ｂ不同时，有着不同的伏安特性曲线，ＡＢ为负载线。由图可以看出，通过磁敏二极管的电流越大，在同一磁场作用下，输出电压越高，灵敏度也越高。在负向磁场作用下，其电阻小、电流大；在正向磁场作用下，其电阻大，电流小。
，在选择该管时还要注意一些重要的参数，额定工作电压：Ｖ０；工作电流：Ｌ０；及使用频限ｆ０。例如国产２ＡＣＭ－１Ａ管，其Ｖ０＝１２Ｖ，２ｍＡ＜Ｉ０＜２１５ｍＡ，ｆ０＜１０ｋＨｚ。
利普通的二极管在结构上有很大不同，它的P区和N区均由高阻硅材料制成。P区和N区之间夹有一个较长的本征区I，其中，本征区I的一个面磨成光滑的复合表面(称为I区)，另一面打毛，构成高复合区(称为r区)，半导体材料中固有的电子——空穴对容易在r区复合，结构及工作原理如图所示。
从图中(c)中可看出，当无磁场作用时，且磁敏二极管加正向偏压时，电子一空穴对在VDM管内部相向迁移。当受图(d)所示的磁场作用时，电子和空穴受到洛仑兹力向r区偏转，由于r区的复合速度很快，使参与电子——空穴对迁移的数量迅速减少，对外电路而言则表现出电流Ii减小，或者说电阻率增大。当磁场强度越大时，电流Ii越小。当受图(e)所示的磁场作用时，电子和空穴受到洛仑兹力向I区偏转，由于电子——空穴对迁移角度有变，比不受磁场作用时的复合概率减小，对外电路而言表现出电流I；增大，或者说电阻率减小。
由此得出一个结论；磁敏二极管在受磁场不同方向作用时，电阻率的变化方向不同，且均随磁场强度的变化而变化。利用这一特性可以实现磁电信号转变。
1967～1968年，日本先后研制成硅、锗磁敏二极管。这类新型器件的转换灵敏度比霍耳元件高数百甚至数千倍磁敏二极管是P(-i-n(型长二极管（i表示近本征型半导体）。它的原理是在外加电压的作用下，由P(、n(区向i区注入载流子（空穴与电子），此时它们若受到垂直于载流子运动方向的磁场H(的作用便向复合区偏转。载流子在复合区的复合概率高于i区,因而寿命缩短,减小有效扩展长度,使i区压降增加，P(-i结和i-n(结的结偏压下降,通过i区的电流减小。在相反磁场H(的作用下，上述过程则相反。因此可用以测量磁场。
磁敏二极管适用于测量弱磁场（如用于地磁测量仪），可制成借助磁场触发的无触点开关。例如利用导线周围的磁场制成无接触电流表，利用磁场变化制成调制器、自动增益控制电路和无触点电位器，以及同其他器件组合制成直流无刷电机等。它在自动化仪表中的应用潜力很大。
磁敏三极管是在磁敏二极管的基础上研制出来的。它的一端为集电极和发射极e(n(区)、另一端P(区为基极b（图3[磁敏三极管的结构]）。磁场的作用使集电极的电流增加或减少。它的电流放大倍数虽然小于 1，但基极电流和电流放大系数均具有磁灵敏度，因此可以获得远高于磁敏二极管的灵敏度。磁敏三极管是尚处于研制阶段的新型器件,凡是应用霍耳元件,磁阻元件和磁敏二极管的地方均可用磁敏三极管来代替。磁敏三极管尤其适用于某些需要高灵敏度的场合，如微型引信、地震探测等方面。
