栅漏电流

栅漏电流(Gate Leakage Current)是指MOS场效应管(MOSFET)中栅极和源极之间的漏电流。在实际使用中,由于工艺制造和设备的参数不可避免地存在一些偏差,从而导致栅漏电流的产生。

概述

栅漏电流是由于MOSFET的栅结构和附近区域存在浓度不均、缺陷等因素引起的电子隧穿或者热发射等现象所形成的泄漏电流。其大小与栅电压、晶体管制造工艺以及温度等诸多因素有关。

计算公式

栅漏电流是非常微弱的电流,一般情况下采用以下计算公式进行估算:

<p center;"="" style='"text-align:'>$I_G=I_{G0}left(frac{T}{T_0}right)^nmathrm{exp}left[frac{-E_G}{k_B(T-T_0)}right]$

其中,$I_G$为栅漏电流,$I_{G0}$为温度为$T_0$时的栅漏电流,$T$为当前温度,$n$为取决于MOSFET工艺和温度的常数,$E_G$为带隙能在绝对温度下的值,$k_B$为玻尔兹曼常数。

受什么影响

栅漏电流大小主要受以下因素影响:

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