晶片又称芯片，英文叫做CHIP，它是制作LED LAMP。 DISPLAY， BACKLIGHT LED LED 的主要材料，由磷化镓（GaP），镓铝砷（GaAlAs），或砷化镓（GaAs），氮化 镓（GaN）等材质组成，其内部结构为一个 PN 结，具有单向导电性。晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的发光部件，LED最核心的部分，晶片的好坏将直接决定LED的性能。
1.电极的材质：铝或金
2.焊单线晶片上面电极外形：
3．焊单线晶片下面电极的外形
4.晶片的颜色：红色不透明，红色透明，暗红色，黑色，白色透明 等
5.晶片尺寸定义：以晶片底部尺寸较大的那条边尺寸为准
6.焊单线晶片电极特性：正极性晶片及反极性晶片
7.晶片电极的连接及对发光的影响
(1) 上面电极用来焊接金线或铝线，电极太大会影响发光效率，电极太小使电流 不能流到晶片全体，同样也会影响发光效率。
(2) 下面电极通过银胶与支架或 PCB 接触，它是用来使电流均匀流到晶片内，下 面电极有圆形，格子状或全面电极，全面电极导电性好，但对光的吸收要太 于前两种形状。
1．伏安特性
2．顺向电压（VF）：施加在晶片两端，使晶片正向导通的电压。此电压与晶片 本身有关，与测试电流也有关。顺向电压过大，会使晶片被击穿。单位：V
3．顺向电流（IF）：晶片在施加一定电压后，所产生的正向导通电流。 顺向电流的大小，与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在 10-20mA 左右。单 位：mA
4．反向电压（VR）：施加在晶片上的，晶片保持截止状态的电压。
5．反向电流（IR）：指的是晶片施加反向电压所产生的电流，此电流越小越好。 此电流过大容易造成反向击穿。
6．亮度（IV）：指的是光源的明亮程度。 单位换算：1cd=1000mcd 1mcd=1000cd 7.波长（HUE）：反映晶片发光颜色。单位：nm 波长不同晶片，其发光颜色不同。
8．不同波长光的定义
（1）波长大于 0.1mm 电波
（2）760 nm –0.1mm 红外光
（3）380 nm -760nm 可见光
（4）10 nm-380 nm 紫外光
1、来料资料有无规格书（没有规格书不建议盲目的去实验）；
2、来料的芯片参数（亮度、电压、波长等）是否符合规格要求，外观（电极位置）是否与规格书上相同；
3、尺寸测量：需要采用精确的高倍显微镜进行测量，实际尺寸是否符合要求；包括芯片的长、宽、高、电极大小等
4、电性检测：VF、IV、WL、IR、极性等实际测试是否符合要求。此项有很多厂商没有条件测试，建议在试做过程中去做成成品测试（但极性先进行确认）。
