多晶硅发射极晶体管（也称为Poly-Si TFT），是一种应用于电子显示器件中的非晶硅薄膜晶体管。它具有高精度、高稳定性和低温度制造成本等优点，被广泛地应用于液晶面板、有机发光二极管显示器及太阳能电池等领域。
多晶硅发射极晶体管包括四个主要组成部分：源极、漏极、栅极和发射区。其中，发射区是由多晶硅制成的。在电流作用下，发射区材料内部形成了电子空穴对，通过控制栅极电压，控制电子空穴对的移动，从而实现了对TFT的开闭控制。
多晶硅发射极晶体管具有高精度、高稳定性的特点。它可以被用作电子显示设备中的像素驱动器，控制每个像素的颜色和亮度。此外，多晶硅发射极晶体管还可以被用于光阀、微处理器、存储芯片等电子设备中。
多晶硅发射极晶体管的工作原理是以场效应为基础的。在电流作用下，源漏电流会通过液晶分子，使这些分子发生旋转而改变偏振方向，从而实现显示。TFT控制电压的大小和方向是由栅极控制的，这种方式能够保证选定的像素单元仅会开放那些需要开启的区域。
