MOS控制晶闸管（MOS-controlled thyristor，简称MCT）是一种功率半导体器件，结合了金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）和双极型晶闸管的优点，具有潜在的高速、高电压、低功耗、高集成度和低阻抗等特点。MCT器件结构与晶闸管相似，但采用多个PN结设计，在控制极上添加MOS栅极，并引入耐压注入技术，使得该元件能够实现由MOS栅极控制开关的功能。
MOS控制晶闸管主要由四个PN结组成，分别是P+,N?,N+,P?。当P+区施加正向电压且P?区施加负向电压时，形成PNP结构。当N+区施加正向电压且N?区施加负向电压时，形成NPN结构。而MOS栅极通过控制P+区的耗尽层深度来控制NPN结和PNP结之间的开关转移，从而实现器件的导通与截止。
1. 采用耐压注入技术，具有高压承受能力；
2. 由于MOS栅极的电容很小，可以实现低功率控制；
3. 由于MCT的加深结构，比同等电流下的晶闸管开关速度更快；
4. 可以在短时间内切换大电流；
5. 具有自我保护功能，可以避免热失效或电击使得器件损坏。
MOS控制晶闸管可以广泛应用于各种电力和电子控制领域，如交流变频调速、电动车辆驱动、UPS、电源逆变、气体放电灯控制、高压直流输电和变换器等。其中，MCT已成为“下一代电力半导体”之一。
