MMBZ5234BLT1G

概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V)：5.890

齐纳击穿电压Vz典型值(V)：6.200

齐纳击穿电压Vz最大值(V)：6.510

@Izt(mA)：20

齐纳阻抗Zzt(Ω)：7

最大功率PMax(W)：0.225

芯片标识：8J

封装/温度(℃)：3SOT-23/-65~150

资料