mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管。
众所周知,我们的PC主机上所用的处理器都是低电压大功率的零件,按不同的CPU种类功率从几十到上百瓦，而电压却只有一点多到二点多伏。通过了解，我们知道主机电源供应器的电压输出均没有这么低的输出电压，而我们常用的主板CPU主供电是由一对MOS管组成的开关电路降压得来的。所谓MOS管，就是绝缘栅极场效应三极管，分为N沟道和P沟道（主板上一般用N沟道的MOS管），而每种沟道的管子的类型又分成增强型和耗尽型两种。在此我们只简单介绍N沟道MOS管的工作特点：管子有三个极，从沟道的两端分别引出两个电极，称为源极（S极）和漏极（D极），另外一个则称为栅极（G极）。当栅源两极之间的电压值 |Ugs| =0时，漏源之间已经存在导电沟（D与S之间可以导通）的为耗尽型，而当栅源两极之间的电压值 |Ugs| >0时漏源之间才存在导电沟的则是增强型的管子。下面我门根据MOS管的基本特性简单说明下CPU的供电电路原理。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管表面一般只标注了产品的型号，我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。
还要说明的是，温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高，MOS管需要承受的电流也随着增强，提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全，高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
