齐纳二极管是一种由特殊工艺制成的点接触型硅二极管,与普通二极管相比,其正向特性相似,而反向特性比较陡,它工作时是在反向击穿区,并且在一定电流范围内,齐纳二极管不会损坏。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
1.Vz— 稳定电压。指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别,同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。
2.Iz— 稳定电流。指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时,稳压管虽并非不能稳压,但稳压效果会变差;高于此值时,只要不超过额定功率损耗,也是允许的,而且稳压性能会好一些,但要多消耗电能。
3.Rz— 动态电阻。指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变,一般是工作电流愈大,动态电阻则愈小。
4.Pz— 额定功耗。由芯片允许温升决定,其数值为稳定电压Vz和允许电流Izm的乘积。
5.Ctv— 电压温度系数。是说明稳定电压值受温度影响的参数。
6.IR— 反向漏电流。指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。
稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管,在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后,在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。它既具有普通二极管的单向导电特性,又可工作于反向击穿状态。在反向电压较低时,稳压二极管截止;当反向电压达到一定数值时,反向电流突然增大,稳压二极管进入击穿区,此时即使反向电流在很大范围内变化时,稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变。但若反向电流增大到一定数值后,稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。
二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,电路中常把它用在整流、 齐纳二极管的稳压原理:齐纳二极管的特点就是加反向电压击穿后,其两端的电压基本 保持不变。而整流二极管反向击穿后就损坏了.这样,当把齐纳管接入电路以后,若由于电源电压发生波动, 或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 齐纳二极管用来稳压或在串联电路中作基准电压 整流二极管和齐纳二极管都是PN半导体器,所不同的是整流二极管用的是单向导电性,齐纳二极管是利用了其反向特性,在电路中反向联接。