N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当VGS>VGS(th)， 在D和S之间加正电压，就会产生漏极电流ID，ID将随VGS的增加而增大。
用MOSFET作为开关应用时，可以用图1中的模型来分析，当G、S极电压为零时，D、S不导通，相当于开路。当栅极电压为10V，源极电压为0V时，就有电流ID流过漏、源极，漏极和源极之间处于导通状态。MOSFET内部漏极、源极之间有一个寄生的反向二极管。该二极管在电路图中常常未被标出，当MOSFET处于关断状态，如漏源极有负向电压时，二极管可能会导通，在设计时要注意这一点。
