IXYS功率MOSFET设计用于低于100MHz的射频应用、线性应用以及大功率、高频和高速开关应用。这些功率MOSFET有各种标准工业封装选项可供选择，可满足广泛的市场需求，并符合各类电气设计要求以及各种机械和安装规范。
针对射频和高速开关进行了优化高功率密度易于安装，无需绝缘体出色的热传递性能电压 (VDSS) 范围：100V至1200V电流 (ID) 范围：9A至60ARDSON：0.038Ω至7.8Ω工作模式选项：开关线性
