平面型二极管

信息简介

    在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

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    日本工业技术院电子技术综合研究所采用扫描隧道显微镜(STM)成功地制作了线宽为18nm的平面型二极管。日本计划在2010年开发出64吉比特的动态随机存取存储器，而这种二极管的开发为其提供了可能性。

    采用STM以逐个控制电子、分子，制作元件的研究工作很活跃，但在事实上制成电子元件，这次还是世界首例，这一成果开拓了实现量子化功能元件的道路，因而引起人们的注目。该元件的要点是STM作为捕获原子的摄子，并作为使其产生化学反应的电极。