irf640

    IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
    TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率,导通阻抗。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。

基本参数

    IRF640,采用TO-220AB 封装方式。
    晶体管极性:N沟道
    漏极电流, Id 值:18A
    电压, Vds :200V
    开态电阻, Rds(on):0.15ohm
    电压 @ Rds测量:10V
    电压, Vgs :4V
    封装类型:TO-220AB
    针脚数:3
    功率, Pd:150W
    封装类型:TO-220AB
    晶体管类型:MOSFET
    热阻, 结至外壳 A:1°C/W
    电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
    电压, Vds 典型值:200V
    电流, Id 连续:18A
    电流, Idm 脉冲:72A
    表面安装器件:通孔安装
    阈值电压, Vgs th 典型值:4V
    阈值电压, Vgs th :4V

特性

    贴片安装 IRF640S
    可选卷带包装 IRF640S
    低端通孔安装 IRF640L
    动态dv/dt率
    150℃工作温度 IRF640S、IRF640L
    快速转换速率
    可恢复性雪崩测定
    并行简易
    仅需简单驱动
    无铅环保

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