STP4NK60Z P4NK60Z STP4NK80Z P4NK80Z STP6NK60Z P6NK

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規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(最大值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 最大安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝工具箱其他名稱
STP4NK60Z/FP, STB4NK60Z/-1, STD4NK60Z/-1
TO-220 Pkg
ST Series TO-220
50
離散半導體產品
MOSFET,GaNFET - 單
SuperMESH™
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
2 歐姆 @ 2A, 10V
600V
4A
4.5V @ 50µA
26nC @ 10V
510pF @ 25V
70W
通孔
TO-220-3
管裝
*
497-8004-KIT-ND- KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA
497-3191-5
品牌

ST/意法

型号

STP4NK60Z

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-ARR/陈列组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

600(V)

夹断电压

60(V)

低频跨导

101(μS)

极间电容

20(pF)

低频噪声系数

10(dB)

漏极电流

230(mA)

耗散功率

1000(mW)