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供应 ST牌子场效应管STP10NK60Z 原装

地区：广东深圳

认证：无

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场效应管MOSFET N TO-220
晶体管*性: N沟道
电流, Id连续: 10A
电压, Vds*大: 600V
在电阻RDS（上）: 750mohm
电压@ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th典型值: 3.75V
功耗, Pd: 115W
工作温度敏: -55°C
工作温度*高: 150°C
封装类型: TO-220
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
功率, Pd: 115W
功耗: 115W
单脉冲雪崩能量Eas: 300mJ
器件标记: STP10NK60Z
封装类型: TO-220
封装类型,其它: SOT-78B
工作温度范围: -55°C到 150°C
引脚节距: 2.54mm
总功率, Ptot: 115W
时间, trr典型值: 570ns
晶体管数: 1
温度@电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏*电流, Id*大值: 10A
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds典型值: 600V
电压, Vgs*高: 30V
电容值, Ciss典型值: 1370pF
电流, Idm脉冲: 36A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 750mohm
针脚配置: a
阈值电压, Vgs th: 3V
阈值电压, Vgs th*高: 4.5V

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

STP10NK60Z

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

品牌/商标

ST/意法

用途

SW-REG/开关电源

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

功耗

115W

单脉冲雪崩能量

300mJ

工作温度

-55°C 到 +150°C