供应:FSC牌子 场效应管FQPF6N90C【优势库存】【原装】

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

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FQPF6N90C

数据列表

FQP6N90C, FQPF6N90C

产品相片

TO-220AB 

产品变化通告

Design/Process Change Notification 26/June/2007

标准包装

50

类别

分立半导体产品

家庭

FET -

系列

QFET™

FET类型

MOSFET N通道,金属氧化物

FET功能

标准

漏源*电压(Vdss

900V

电流-连续漏*(Id)25° C时)

6A

不同 IdVgs时的 Rds On(*大值)

2.3欧姆@ 3A10V

不同Id时的Vgs(th)(*大值)

5V @ 250µA

不同Vgs时的栅*电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1770pF @ 25V

功率-*大值

56W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3整包

供应商器件封装

TO-220F

包装

管件

 

"
材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

FQPF6N90C

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

用途

L/功率放大

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

不同 Vds 时的输入电

1770pF @ 25V

功率值

56W

漏源*电压 (Vdss)

900V