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供应 IR牌子场效应管IRFB23N20DPBF 【IR代理】【原装】

地区：广东深圳

认证：无

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场???应管MOSFET N TOV 24A
晶体管*性: N沟道
电流, Id连续: 24A
电压, Vds*大: 200V
在电阻RDS（上）: 100mohm
电压@ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th典型值: 5.5V
功耗, Pd: 170W
工作温度敏: -55°C
工作温度*高: 175°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功率, Pd: 170W
功耗: 170W
封装类型: TO-220AB
工作温度范围: -55°C到 175°C
漏*电流, Id*大值: 24A
热阻,结至外壳A: 0.9°C/W
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds典型值: 200V
电压, Vgs*高: 5.5V
电流, Idm脉冲: 96A
表面安装器件: Through Hole
阈值电压, Vgs th*高: 5.5V

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IRFB23N20DPBF

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

A/宽频带放大

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

功耗

170W

电压

200V

电流

24A