STSTW9NK90Z

地区:广东 深圳
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数据列表 STx9NK90Z

类别 分离式半导体产品

FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物

漏*至源*电压(Vdss) 900V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 8A

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 1.3 欧姆 @ 3.6A, 10V

Id 时的 Vgs(th)(*大) 4.5V @ 100μA

闸电荷(Qg) @ Vgs 72nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds 2115pF @ 25V

功率 - *大 160W

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3


包装 管件


安逸通电子

手机:

品牌/型号

ST

封装

TO-247

击穿电压

100――900V

低频噪声系数

0.2

输入*压保护

200

栅源击穿电压

900v

漏源动态电阻

1.1――1.3Ω

用途

A/宽频带放大

种类

结型JFET

批号

1012

特色标志

新品

材料

ALGaAS铝镓砷

导电方式

耗尽型

沟道类型

N沟道