IGBT/MOSFET大功率开关

特点及用途：

☆ 金属化聚丙烯膜卷绕，无感式结构
☆ 高频*R*低，高dv/dt，能承受*高的脉冲电流，高耐压，具有良好的自愈能力
☆ 外观及封装形式多样，可满足客户各种要求
☆ 主要应用于IGBT/MOSFET模块突波吸收，也可用于*电流通过的场合
☆ 适用于电源设备、变频设备、*声设备、大功率开关电路

技术要求：

☆ 引用标准：GB10353 IEC384-16
☆ 气候类别：40/085/21
☆ 额定电压：630V(400V)、1.2KV(1.0KV)、2.0KV(1.6KV)(DC)
☆ 电容量范围：0.1-4.7μF
☆ 电容量偏差： J(±5%), K(±10%)
☆ 耐电压：1.60UR (1min)
☆ *缘电阻：C≤0.33μF, 30000MΩ(20℃,1min)
C>0.33μF, 10000MΩ·μF
☆ 损耗角正切：≤0.1% (20℃, 1KHz)

品牌/型号

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