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现货供应FQPF6N90C MOS管/场效应管/IGBT 原装

地区：广东 深圳
认证： 无

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制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:RoHS 合规性豁免 详细信息 
晶体管*性:N-Channel
汲*/源*击穿电压:900 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏*连续电流:6 A
电阻汲*/源* RDS（导通）:2.3 Ohms
配置:Single
*大工作温度: 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220F
封装:Tube
下降时间:60 ns 
正向跨导 gFS（*大值/*小值）:5.5 S 
*小工作温度:- 55 C 
功率耗散:56 W 
上升时间:90 ns 
工厂包装数量:50 
典型关闭延迟时间:55 ns 
*件号别名:FQPF6N90C
材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

FQPF6N90C

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

用途

L/功率放大

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装/规格

TO-220F N沟道 900V 6A

原装

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