现货供应IRLR024NTRPBF/ MOS管/场效应管/IGBT 原装

地区:广东 深圳
认证:

吴锡平

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制造商:International Rectifier
RoHS:符合RoHS 详细信息 
晶体管*性:N-Channel
汲*/源*击穿电压:55 V
闸/源击穿电压:16 V
漏*连续电流:17 A
电阻汲*/源* RDS(导通):110 mOhms
配置:Single
*大工作温度: 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DPAK
封装:Reel
下降时间:29 ns 
栅*电荷 Qg:10 nC 
*小工作温度:- 55 C 
功率耗散:38 W 
上升时间:74 ns 
工厂包装数量:2000 
典型关闭延迟时间:20 ns



 

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IRLR024NTRPBF

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

L/功率放大

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装/规格

SOT-252

MOS管/场效应管/I

N沟道 55V 17A