GT3409 场效应管 MOS管

产品相关介绍：

30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET30V P沟道增强型MOS管

VDS= -30V

RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-2.6A = 97mΩ

RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.0A = 125mΩ

RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 150mΩFeatures特性

Advanced trench process technology高级的加工技术

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance*低的导通电阻高密度的单元设计

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

GT3409

材料

P-FET硅P沟道

用途

SW-REG/开关电源

品牌/商标

YGMOS

沟道类型

P沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型

供应GT3409 场效应管 MOS管