STP10NK60 STP10NK60EFP STF13NM60N N-通道600V功率MOSFE

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STP10NK60EFP

 STF13NM60N  N-通道600V功率MOSFET

华英半导体*一级渠道 邵先生/

 

N-沟道功率MOSFET使用的第二代MDmesh™技术开发的。这一*性的功率MOSFET垂直结构联营公司的带布局,得出一个世界上的导通电阻和栅*电荷。因此,适用于*苛刻的*率转换器。

 

 

 

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封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

STP10NK60EFP STF13NM60N

材料

N-FET硅N沟道

用途

UNI/一般用途

品牌/商标

ST/意法

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

耗尽型

N-通道

600V功率MOSFET