供应美国福特斯N沟场效应FIR2N60F，长期代理

　　福斯特FIR2N60F规格：

　　种类：绝缘栅（MOSFET）

　　沟道类型：N沟道

　　导电方式：增强型

　　材料：N-FET硅N沟道

　　封装外形：P-DIT/塑料双列直插

　　用途：D-G双栅四极

　　开启电压：600（V）

　　夹断电压：600（V）

　　跨导：10（μS）

　　极间电容：10101（pF）

　　低频噪声系数：101（dB）

　　最大漏极电流：10000（mA）

　　最大耗散功率：100（mW）

　　场效应管型号命名

　　有两种命名方法：

　　第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

　　第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

　　场效应管主要作用

　　1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

　　2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

　　3.场效应管可以用作可变电阻。

　　4.场效应管可以方便地用作恒流源。

　　5.场效应管可以用作电子开关。