MOSFET HFP10N60U *推荐

产品型号:HFP10N60S
概述
封装:TO-220

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

*大漏*电流Id(A):10

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):208

输入电容Ciss(PF):1320 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：15

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580

导通延迟时间Td(on)(ns):28 t*.

上升时间Tr(ns):66 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):76 t*.

下降时间Tf(ns):64 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管