LED外延片（蓝光）

P-t*e Layer

P-GaN

Total thickness：

430 &plu*n; 25um

Etchingdepth:11000~13000Å

Active Layer

MQW

N-t*e Layer

N-GaN

Substrate

PSS（2*1*1.2～1.5）

Warp

<30μm

检验项目

检测条件

备注

平均电压

小于等于3.3V

１、芯片尺寸为12mil×13mil；

２、*D测试为人体模式2000ｖ；

３、外延表面为非粗化处理；

4、亮度标准为ITO制程下COW亮度；

5、波长范围可以根据合同要求调整；

圆片中心波长

（ｎｍ）＠20mA

蓝光外延片：451.5nm-458.5nm

蓝光亮度（ｍｃｄ）

＠20mA，460nm

亮度100mcd以上

良率（*D2000V）

>85%

漏电（uA）＠-8V）

≤1

综合良率

>80%

检验项目

检测区域

检测条件

检查方法/仪器

备注

表面

整片

表面颜色均匀

聚光灯

异物面积小于4平方毫米（2mm*2mm）

异物个数小于5颗

镜下

去边2mm，采用5点检测

有黑点区域小于2，区域内黑点个数小于5颗

显微镜20X10

六角凸起个数在小于10颗