供应小功率红光led外延片 AlGaInP
地区：北京 北京市
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无
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产品属性
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| 应用范围 | 发光(LED) | 结构 | 面接触型 |
| 材料 | 砷化镓(GaAs) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 树脂封装 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 中频 | 发光颜色 | 红色 |
| LED封装 | 有色透明封装(C) | 出光面特征 | 三角形 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 正向工作电流 | 20m（A） |
| *高反向电压 | 2.2（V） |
AlGaInP LED芯片介绍
*设计外延层结构和控制MOCVD生长工艺，针对不同应用，生产不同规格外延片，通过细致的芯片*工艺，使LED芯片成为客户手中的艺*品，给予用户更多的附加值。
数码点阵系列：
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T07R1B |
T08R1B |
T09R1C |
其它波段、尺寸等规格可应需求*。 |
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Λd: |
620-625nm |
620-625nm |
620-625nm | |
|
Vf: |
1.8-2.3V |
1.8-2.3V |
1.8-2.2V | |
|
Iv: |
20-40mcd |
20-40mcd |
40-60mcd | |
|
Vbr (Iz =-10μA): |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
景观照明，灯光布景，室内装修系列：
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T07R1E |
T07R1F |
T08R1G |
其它波段、尺寸等规格可应需求*。 |
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Λd: |
620-625nm |
620-625nm |
620-625nm | |
|
Vf: |
1.8-2.3V |
1.8-2.3V |
1.8-2.3V | |
|
Iv: |
70-90mcd |
80-100mcd |
90-110mcd | |
|
Vbr (Iz =-10μA): |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
显示屏、交通灯系列：
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T08R1J |
T09R1K |
T12R1L |
其它波段、尺寸等规格可应需求*。 |
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Λd: |
620-625nm |
620-625nm |
620-625nm | |
|
Vf: |
1.8-2.3V |
1.8-2.3V |
1.8-2.2V | |
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Iv: |
120-140mcd |
130-150mcd |
140-170mcd | |
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Vbr (Iz =-10μA): |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
高*性“E”系列：
动态线性饱和度大，与常规产品相比，瞬态20ms饱和电流增加70%，耐电流冲击能力强。工作结温低，波长随电流变化小，高温加速老化亮度衰减减少2%。适用于*苛刻环境下的使用。
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TE1R1K |
TE2R1L |
TE3R1M |
其它波段、尺寸等规格可应需求*。 |
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Λd: |
620-625nm |
620-625nm |
620-625nm | |
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Vf: |
1.8-2.3V |
1.8-2.2V |
1.8-2.2V | |
|
Iv: |
130-150mcd |
140-170mcd |
150-180mcd | |
|
Vbr (Iz =-10μA): |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
AlGaInP
Times
