供应2NN5401

地区:广东 深圳
认证:

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材料;S 硅
Icm=600mA产品型号:2N5551
类型:NPN
集电*-发射集*小雪崩电压Vceo(V):180
集电**大电流Ic(max)(mA):0.600
直流电流增益hFE*小值(dB):80
直流电流增益hFE*大值(dB):250
*小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):TO92/-55~150
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加工定制

品牌/商标

长电

型号/规格

供应2NN5401

应用范围

高反压

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCEO

180(V)

集电*允许电流ICM

0.6(A)

集电*耗散功率PCM

0.625(W)

截止频率fT

100(MHz)

封装形式

直插型

封装材料

树脂封装