高电压晶体管 MPSA92 TO-92封装 全新

型号：MPSA92RLRPG MPSA92RLRPG MPSA92RLRPG
制造商：ON
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 2mA，20mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：25 @ 30mA，10V
功率 - 最大：625mW
频率 - 转换：50MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装：TO-92-3
包装：带盒（TB）

MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL MPSA92 MPSA93 UNITS

Collector-Base Voltage VCBO 300 200 V

Collector-Emitter Voltage VCEO 300 200 V

Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V

Continuous Collector Current IC 500 mA

Power Dissipation PD 625 mW

Power Dissipation (TC=25°C) PD 1.5 W

Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +150 °C

Thermal Resistance JA 200 °C/W

Thermal Resistance JC 83.3 °C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C) MPSA92 MPSA93

SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX MIN MAX UNITSI

CBO VCB=200V - 250 - - nAI

CEO VCE=160V - - - 250 nAI

EBO VEB=3.0V - 100 - 100 nA

BVCBO IC=100μA 300 - 200 - V

BVCEO IC=1.0mA 300 - 200 - V

BVEBO IE=100μA 5.0 - 5.0 - V

VCE(SAT) IC=20mA, IB=2.0mA - 0.5 - 0.4 V

VBE(SAT) IC=20mA, IB=2.0mA - 0.9 - 0.9 V

hFE VCE=10V, IC=1.0mA 25 - 25 -

hFE VCE=10V, IC=10mA 40 - 40 -

hFE VCE=10V, IC=30mA 25 - 25 -f

T VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz 50 - 50 - MHz

Cob VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz - 6.0 - 8.0 pF