供应场效应FQPF6N60 FQPF60N60C

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FQPF6N60C| 6N60C|6N60

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FQPF6N60C简介

晶体管类型:MOSFET
晶体管*性:N
电压典型值:600V
电流连续:5.5A
开态电阻:2ohm
电压测量:10V
阈值电压典型值:4V
封装类型:TO-220F
表面安装器件:通孔安装
工作温度范围:-55- 150°C
功率, Pd:40W
功耗:40W
晶体管数:1
电压*大:600V
电流脉冲:22A

我司供应原装***NXPTIFSCSTHIT等原装*集成电路,100%原装*,品质*!欢迎来电询购买!



 

 

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品牌

FRE*CALE/飞思卡尔

型号

FQPF6N60C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

夹断电压

660(V)

低频跨导

15(μS)

*间电容

7(pF)

低频噪声系数

10(dB)

漏*电流

10(mA)

耗散功率

40(mW)