供应场效应FQPF6N60 FQPF60N60C
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FQPF6N60C| 6N60C|6N60
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FQPF6N60C简介
晶体管类型:MOSFET
晶体管*性:N
电压典型值:600V
电流连续:5.5A
开态电阻:2ohm
电压测量:10V
阈值电压典型值:4V
封装类型:TO-220F
表面安装器件:通孔安装
工作温度范围:-55- 150°C
功率, Pd:40W
功耗:40W
晶体管数:1
电压*大:600V
电流脉冲:22A
我司供应原装***NXP、TI、FSC、ST、HIT等原装*集成电路,100%原装*,品质*!欢迎来电询购买!
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FRE*CALE/飞思卡尔
FQPF6N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
4(V)
660(V)
15(μS)
7(pF)
10(dB)
10(mA)
40(mW)