新年份2012+深圳公司现货*童品牌双N沟道MOS管FDS6982S场效应管

概述
FDS6982S的目的是取代两个单一的SO-8
MOSFET和肖特基二*管同步DC：DC
提供各种外设电压的电源供应器，
为笔记本电脑和其它电池供电的
电子设备。FDS6982S包含两个*
30V，N沟道逻辑电平，PowerTrench MOSFET的
旨在*大限度地*功率转换效率。
高侧开关（Q1）与特定的设计
强调降低开关损耗，而低
边开关（Q2）进行了优化，以减少传导
的损失。Q2也包括集成肖特基二*管
采用飞兆半导体单片SyncFET技术。

特点
Q2：优化，以*大限度地减少传导损耗
  包括SyncFET体二*管肖特基
  8.6A，30VRDS（上）
 =0.016Ω@VGS = 10V
 RDS（上）
 =0.021Ω@ VGS = 4.5V
Q1：低开关损耗进行了优化
 低栅*电荷（8.5nC典型）
 6.3A，30VRDS（上）
 =0.028Ω@VGS = 10V
 RDS（上）
 =0.035Ω@ VGS = 4.5V

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