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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种*性的载流子,即多数载流子和反*性的少数载流子参与导电,因此称为双*型晶体管,而FET*是由多数载流子参与导电,它与双*型相反,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点，现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
; P& n b) k6 ]4 u# `/ d4 B一、场效应管的分类/ a% z3 ~' X! l: z" Z/ M! n, o
　　场效应管分结型、*缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，*缘栅型场效应管（JGFET）则因栅*与其它电***缘而得名。目前在*缘栅型场效应管中，应用*为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及*近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。/ Q9 X( [- @8 x$ P; C7 c
　　按沟道半导体材料的不同，结型和*缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，*缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。8 l/ ^: T0 }0 h: C# Z' |' ]) Z' Y
　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻*很高，因此耦合电容可以容量较小，不*使用电解电容器。0 q2 N2 o" F0 g  C ?; B2 T
2、场效应管很高的输入阻**适合作阻*变换。常用于多级放大器的输入级作阻*变换。3 }3 k0 r# K6 z, Y# _  ^8 R' X
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。( j: w s  ~% Z/ G
5、场效应管可以用作电子开关。