2SK1101 K1101

地区:广东 汕头
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品牌

FUJI/富士通

型号

2SK1101

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

121(V)

夹断电压

12(V)

低频跨导

12(μS)

*间电容

1212(pF)

低频噪声系数

12(dB)

漏*电流

12(mA)

耗散功率

21(mW)