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优势现货供应IRF644

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  • IRF640特点
  • 编辑本段
    • 晶体管*性:N沟道
    漏*电流, Id *大值:18A
    电压, Vds *大:200V
    开态电阻, Rds(on):0.15ohm
    电压 @ Rds测量:10V
    电压, Vgs *高:4V
    功耗:150W
    封装类型:TO-220AB
    针脚数:3
    功率, Pd:150W
    品牌

    IR/国际整流器

    型号

    IRF664

    种类

    *缘栅(MOSFET)

    沟道类型

    N沟道

    导电方式

    增强型

    用途

    A/宽频带放大

    封装外形

    CER-DIP/陶瓷直插

    材料

    GE-N-FET锗N沟道

    开启电压

    1（V）

    夹断电压

    1（V）

    跨导

    1（μS）

    *间电容

    1（pF）

    低频噪声系数

    1（dB）

    漏*电流

    1（mA）

    耗散功率

    1（mW）