仕兰微N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
仕兰微系列高压MOS产品：
SVD1N60，SVD1N70，SVD1N80，SVD2N60，SVD2N65，SVD2N70M，SVD3N80，SVD4N60，SVD5N60，SVD730T，SVD830，SVD7N60，SVD8N60，SVD8N65，SVD9N65，SVD10N60，SVD12N60T
