供应2N60

2N60  TO-220的产品参数：PD(W)=2  ID(A)=2  V9br)dss(V)=600 

(Ω )RDS(on)(MAX):ID(A)=1  VGS(V）=10   Gfs(min)  VDS(V)=50  ID(A)=1  管脚排列GSD

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点，现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管具有如下特点：

       （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；