场效应管2N60*场价原装无铅MOS管 替代FQPF2N60C

地区:广东 广州
认证:

结型场效应管 杨海滨

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BRF2N60*替代FQPF2N60C

 

 

 

BRF2N60(CS2N60F)                    N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管     
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。  
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters 
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge ,low crss, fast switching.
 
*限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)   
 
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数*号
Symbol
测试条件
Test Conditions
*小值
Min
典型值
T*
*大值
Max
单位
Unit
BVDSS VGS=0V      ID=250μA  600      V
VDS=600V    VGS=0V      1.0  μA
IDSS
VDS=480V    TC=125℃      100  μA
IGSS VGS=&plu*n;30V   VDS=0V      &plu*n;0.1  μA
VGS(th) VDS=VGS      ID=250μA  2.0    4.0  V
RDS(on) VGS=10V     ID=1.0A    4.0  5.0  Ω

封装外形

TO-220-3 整包

型号/规格

FQPF2N60

材料

ALGaAS铝镓砷

用途

MOS-TPBM/三相桥

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型