MOS管三*管场效应 IRG4RC10S IRG4RC10SD IRG4RC10

数据列表 IRG4RC10SDPbF

产品相片 TO-252-2

标准包装 2,000
类别分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -

电压 - 集电*发射*击穿（*大） 600V

Vge, Ic时的*大Vce（开） 1.8V @ 15V, 8A

电流 - 集电* (Ic)（*大） 14A

功率 - *大 38W

输入类型标准型

安装类型表面贴装

封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线接片), SC-63

供应商设备封装 D-Pak

包装带卷 (TR)

其它名称 IRG4RC10SDTRPBF-ND
IRG4RC10SDTRPBFTR

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRG4RC10S

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

开启电压

*（V）

夹断电压

*（V）

跨导

*（μS）

*间电容

*（pF）

低频噪声系数

*（dB）

漏*电流

*（mA）

耗散功率

*（mW）

MOS管 三*管 场效应 IRG4RC10S IRG4RC10SD IRG4RC10

MOS管三*管场效应 IRG4RC10S IRG4RC10SD IRG4RC10