MOS管 三*管 场效应FQD20N06TM FQD20N06

数据列表 FQP5N50C, FQPF5N50C
 
产品相片 TO-220-3 Pkg
 
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
 
产品变化通告 P*ivation Material Change 14/May/2008
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.4 欧姆 @ 2.5A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 500V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5A
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  625pF @ 25V
 
功率 - *大 73W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220
 
包装 管件